產(chǎn)品名稱

砷化鎵(GaAs)晶體基片

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu)：立方晶系

晶格常數(shù)：a=5.6534?

導(dǎo)電類型：N型摻Si；N型摻Te；不摻雜；P型摻Ga

熔點(diǎn)：1237°C

禁帶寬度:1.4電子伏

介電常數(shù)：13.1

位錯(cuò)密度：<5x103cm^2 等

遷移率：(3500-3600)cm2/vs 等

生長方法:VGF生產(chǎn)方法

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向： 、、

常規(guī)尺寸：10x10x0.35mm；dia2″x0.35mm；

拋光情況：單拋、雙拋

表面粗糙度：<15A

注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。

晶體缺陷

人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。

標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級超凈室100級超凈袋