產(chǎn)品名稱

Ge晶體基片

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu)：立方晶系

晶格常數(shù)：5.6754 ?

密度：5.323 g/cm3

熔點(diǎn)：937.4 ℃

介電常數(shù)：16.2

熱導(dǎo)率（w/m·k）：60.2

摻雜物質(zhì)：不摻雜；摻Sb；摻In或Ga；

類型：N型 和 P型

電阻率 W·cm：>35??0.05??0.05-0.1

EPD:< 4x103/cm2 < 4x103/cm2 < 4x103/cm2

生長方法：直拉法

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向：、、

晶向公差：±0.5°

常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm，10x5x0.5mm,dia2",dia3"

拋光情況：單拋、雙拋

表面粗糙度：< 5A

注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。

晶體缺陷

人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。

標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝