InP（磷化銦）晶體基片
發(fā)布時(shí)間： 2024-03-30 14:24:45 瀏覽次數(shù)：726
產(chǎn)品介紹：
InP非常適用于高頻器件，如高電子遷移率晶體管和異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)等方面。InP基器件在筆米波、通訊、防撞系統(tǒng)、圖像傳感器等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。
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產(chǎn)品名稱(chēng) | 磷化銦(InP)晶體基片 |
技術(shù)參數(shù) | 晶體結(jié)構(gòu):立方晶系 |
晶格常數(shù):a=5.4505 ? | |
摻雜:None;Sn;S;Fe:Zn | |
密度:4.81g/cm3 | |
硬度:3 Hohs | |
導(dǎo)電類(lèi)型:N;N;N;Si;P | |
折射率:3.45 | |
載流子濃度:1-2x1016 1-4x1018 1-3x1018 .64x1018 | |
位錯(cuò)密度:<5x104 cm-2 | |
生長(zhǎng)方法:LEC | |
熔點(diǎn):1062℃ | |
彈性模量:7.1E1ldym cm-2 | |
產(chǎn)品規(guī)格 | 常規(guī)晶向: |
常規(guī)尺寸:2″~x0. 5mm 10x10x0.5mm | |
拋光情況:單拋 | |
表面粗糙度:15A | |
注:只寸及方向可按照客戶(hù)要求定做 | |
晶體缺陷 | 人工金屬單晶存在常見(jiàn)晶體缺陷，表面可能會(huì)有小黑點(diǎn)，微小氣泡等 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝 |
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銷(xiāo)售熱線(xiàn)： 0371-6320 2801
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黃經(jīng)理: 188-3829-0748
Email： nbd@nbdkj.com
地址：鄭州·新鄭·新華街道竹園8號(hào)
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