InSb（銻化銦）晶體
發(fā)布時(shí)間： 2024-04-08 15:46:40 瀏覽次數(shù)：836
產(chǎn)品介紹：
InSb晶體在III-V族半導(dǎo)體中，InSb化合物具有最窄禁帶寬度、最高電子遷移率、最小有效質(zhì)量和g 因子，是制備高速低功耗電子器件、紅外光電子器件及進(jìn)行自旋電子學(xué)研究與拓?fù)淞孔佑?jì)算等前沿物理探索的理想材料。
InSb晶體在III-V族半導(dǎo)體中，InSb化合物具有最窄禁帶寬度、最高電子遷移率、最小有效質(zhì)量和g 因子，是制備高速低功耗電子器件、紅外光電子器件及進(jìn)行自旋電子學(xué)研究與拓?fù)淞孔佑?jì)算等前沿物理探索的理想材料。
產(chǎn)品名稱 銻化銦(InSb)晶體基片 技術(shù)參數(shù) 晶體結(jié)構(gòu)：立方晶 晶格常數(shù)：6.06 ? 硬度（Mohs）：3.8 密度：5.66g/cm3 熔點(diǎn)：942℃ 摻雜：None;Te;Ge 導(dǎo)電類型：N型 和 P型 載流子濃度：1-5x1014 1-2x1015 位錯(cuò)密度：<2x102 cm-2 生長方法：FZ 或 LCE 產(chǎn)品規(guī)格 常規(guī)晶向：（100） 公差：±0.5o 常規(guī)尺寸：dia2"x0.5mm、10x10x0.5mm、10x5x0.5mm 拋光情況：單拋 雙拋 表面粗糙度：<15? 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 晶體缺陷 人工金屬單晶存在常見晶體缺陷等。 標(biāo)準(zhǔn)包裝 1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝。
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