產(chǎn)品名稱

LaF3晶體基片

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu)：三方晶系

晶格常數(shù)： a=7.190 ?   c=7.367 ?

純度：99.99%

密度：5.936 g/cm3

硬度：4.5 Mohs

熔點：1493℃

生長方向：

熱膨脹系數(shù)：11.9  x10-6/ K // c  15.8  x10-6/ K // a

熱導(dǎo)率：5.1 W / m.k @ 300K

光傳輸范圍：Up to 10.5 micron wavelength

折射率 no : 1.63   ne: 1.597

生長方法：提拉法

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向： 、、

常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm

拋光情況：單拋、雙拋

標(biāo)準包裝

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝

晶體缺陷

人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。