產(chǎn)品名稱

LGS硅酸鎵鑭晶體基片

技術參數(shù)

晶體結構:三方結構

晶格常數(shù):a-8.170 ? c=5.099 ?

密度:5.75 g/cm3

熔點:1470g/em3

硬度(Mohs):5.5~6.5

生長方法:提拉法

機電耦合系數(shù)有：0.28~0.46

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向:

定位:X-cut

常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm

拋光情況:雙拋

表面粗糙度<5A

注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。

晶體缺陷

人工金屬單晶存在常見晶體缺陷等。

標準包裝

1000級超凈室100級超凈袋或單片盒裝