MgO:LiNbO3(摻鎂鈮酸鋰)晶片
發(fā)布時間： 2024-04-12 09:52:18 瀏覽次數(shù)：493
產(chǎn)品介紹：
MgO:LiNbO3晶片純同成份鈮酸鋰晶體的缺點是抗激光損傷闕值很低，這限制了它的應用領域。當摻入5mol%MgO后，所生長MgO:LN晶體的抗激光損傷闕值提高1-2個數(shù)量級，極化反轉電壓從21KV/mm降至6KV/mm，紫外吸收邊紫移至310mm，OH-吸收峰紅移至3535cm-1,這些變化極大的拓展了LN晶體的應用范圍。
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產(chǎn)品名稱 光學級摻鎂鈮酸鋰（MgO:LiNbO3)晶片 產(chǎn)品規(guī)格 晶體結構：三方晶系 晶格常數(shù)：a=5.147???c=13.856? 密度：4.7g/cm3 熔點：1253℃ 生長方法：提拉法 產(chǎn)品規(guī)格： 常規(guī)晶向：Z cut 晶向公差：±0.5° 常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm5x5x0.5mm 拋光情況：單拋、雙拋、細磨 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 晶體缺陷： 人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 標準包裝： 1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
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