NdGaO3(鎵酸釹)晶體
發(fā)布時間: 2024-04-13 09:05:46 瀏覽次數(shù):509
產(chǎn)品介紹:
NdGaO3是近十年中發(fā)展起來的新型基片,主要用作高溫超導(dǎo)體(如YBCO)及磁性材料的外延薄膜生長用基片。由于NdGaO3與YBCO的晶格失配很小(~0.27%),且無結(jié)構(gòu)相變,在NdGaO3基片上可外延生長質(zhì)量良好的薄膜。
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產(chǎn)品名稱 鎵酸釹(NdGaO3)晶體基片 技術(shù)參數(shù) 晶體結(jié)構(gòu):正交晶系 晶格常數(shù):a=5.43 ???b=5.50
???c=7.71? 密度:7.57 g/cm3 熔點:1600 °C 硬度:5.9 Mohs 介電常數(shù):<20在300k 生長方法:提拉法 產(chǎn)品規(guī)格 常規(guī)晶向: 、、、 公差:±0.5° 常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm,?10x5x0.5mm,5x5x0.5mm 拋光情況:單拋 、雙拋粗糙度:<5A 注:可根據(jù)客戶需求提供特殊的尺寸和方向; 晶體缺陷 人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷 標(biāo)準(zhǔn)包裝 1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝
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