設備特點：

1、溫度控制精準：三溫區(qū)設計使得系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)更精準的溫度控制，滿足不同材料和工藝對溫度的需求。通過三個PID溫度控制器，可以分別控制不同區(qū)域的溫度，確保整個沉積過程在理想的溫度范圍內(nèi)進行。

2、沉積速度快：相比傳統(tǒng)的化學氣相沉積（CVD）技術(shù)，PECVD系統(tǒng)具有更高的沉積速率。這主要得益于等離子體的作用，使得反應氣體在較低的溫度下就能發(fā)生化學反應，從而加快了沉積速度。

膜層均勻性好：通過射頻電源的頻率控制，可以精確調(diào)節(jié)所沉積薄膜的應力大小，從而保證膜層的均勻性和一致性。這種精確控制對于制備高質(zhì)量、高性能的薄膜材料至關(guān)重要。

3、操作穩(wěn)定性高：三溫區(qū)PECVD系統(tǒng)采用先進的真空系統(tǒng)和多通道質(zhì)子混氣系統(tǒng)，確保了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。在長時間運行過程中，系統(tǒng)能夠保持穩(wěn)定的沉積速率和膜層質(zhì)量，滿足大規(guī)模生產(chǎn)的需求。

4、應用廣泛：該系統(tǒng)可廣泛應用于生長納米線、石墨烯及薄膜材料等領(lǐng)域。例如，在太陽能電池領(lǐng)域，PECVD技術(shù)被用于制備高質(zhì)量的硅基薄膜太陽能電池；在微電子領(lǐng)域，PECVD技術(shù)被用于制備各種薄膜材料，如SiO2、SiNx等。

NBD-O1200-TS3-4ZD-PE

CVD系統(tǒng)

380V 50HZ

1200℃

1150℃

7"

200+200+200mm（三溫三控）

9KW

傳感器類型

石英管Φ80*1400mm

推薦升溫速率

機械泵抽氣速率

3~5Pa 配數(shù)顯真空計

進氣系統(tǒng)

爐體外形尺寸

規(guī)格型號②

名稱②

射頻頻率

射頻功率輸出范圍

外形尺寸

500W

控制系統(tǒng)

1、燒結(jié)工藝曲線設置：動態(tài)顯示設置曲線，設備燒結(jié)可預存多條工藝曲線，每條工藝曲線可自由設置；

2、可預約燒結(jié)，實現(xiàn)無人值守燒結(jié)工藝曲線燒結(jié)；

3、實時顯示燒結(jié)功率電壓等信息并記錄燒結(jié)數(shù)據(jù)，并可導出實現(xiàn)無紙記錄；

4、具有實現(xiàn)遠程操控，實時觀測設備狀態(tài)；

5、溫度校正：主控溫度和試樣溫度的差值，燒結(jié)全程進行非線性修正

溫度精度

±1℃

壓力測量與監(jiān)控

采用機械壓力表，表外殼為氣密型結(jié)構(gòu)，能有效保護內(nèi)部機件免受環(huán)境影響和雜物侵入，同時具有較強的耐腐蝕和耐高溫的能力。

供氣系統(tǒng)

采用浮子流量計控制氣體流速，與設備一體化，且出廠前已進行漏氣測試工作。

凈重

280kg

設備使用注意事項

1、設備爐膛溫度≥300℃時，禁止打開爐膛，避免受到傷害；

2、設備使用時，爐管內(nèi)壓力不得超過0.125MPa（絕對壓力），以防止壓力過大造成設備損壞；

3、真空下使用時，設備使用溫度不得超過800℃。

4、供氣鋼瓶內(nèi)部氣壓較高，向爐管內(nèi)通入氣體時，氣瓶上必須安裝減壓閥，建議在選購試驗用小壓力減壓閥，減壓閥量程為0.01MPa-0.15MPa,使用時會更加精確安全。

5、當爐體溫度高于1000℃時，爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài)，爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓 相當，保持在常壓狀態(tài)；

6、高純石英管的長時間使用溫度≦1100℃

7、加熱的實驗時，不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對樣品加熱，則需時刻關(guān)注壓力表的示數(shù)，絕對壓力表讀數(shù)不要大于0.15MPa，必須立刻打開排氣端閥門，以防意外發(fā)生（如爐 管破裂，法蘭飛出等）。

服務支持

一年有限保修，提供終身支持（保修范圍內(nèi)不包括易耗部件，例如處理管和O形圈，請在下面的相關(guān)產(chǎn)品處訂購更換件。）