4H-SiC晶體基片
發(fā)布時(shí)間： 2024-07-09 16:37:48 瀏覽次數(shù)：360
產(chǎn)品介紹：
4H-SiC晶體基片是碳化硅（SiC）的一種晶體類(lèi)型，碳化硅有大約250種晶體類(lèi)型，包括3C、4H和6H等，但4H-SiC尤其受到人們的關(guān)注。"4H"代表六角晶型，數(shù)字“4”表示C-Si雙原子層沿C方向的堆垛周期數(shù)。
產(chǎn)品名稱(chēng) 4H-SiC晶體基片 技術(shù)參數(shù) 晶體結(jié)構(gòu): 六方晶系 晶格常數(shù)：a=3.08???c=10.05? 熔點(diǎn)2827℃ 硬度(Mohs)：≈9.2 方向：生長(zhǎng)軸或偏(0001)?3.5° 密度（g/cm3）3.16 帶隙：2.93eV?(間接) 導(dǎo)電類(lèi)型：N導(dǎo)電 電阻率:0.1-0.01?ohm-cm 介電常數(shù)：e(11)?=?e(22)?=?9.66?????e(33)?=?10.33 導(dǎo)電率：5W?/?cm·K 生長(zhǎng)方式：MOCVD(有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積） 產(chǎn)品規(guī)格 常規(guī)晶向： ? 常規(guī)尺寸：10x5mm?10x10mm,dia2"x0.33mm,dia4"x0.35mm ? 拋光情況：?jiǎn)螔?、雙拋拋光面：常規(guī)單拋為“Si” 面拋光，可按要求做“C”面拋光 ? 拋光面粗糙度：< 15A注：尺寸及方向可按照客戶(hù)要求定做。 晶體缺陷 人工生長(zhǎng)單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 標(biāo)準(zhǔn)包裝 1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝
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