ZNTE晶體
發(fā)布時(shí)間: 2024-07-13 08:55:42 瀏覽次數(shù):312
產(chǎn)品介紹:
Ⅱ-Ⅵ族晶體有可能在不久的將來(lái)用于突出拍攝上。他們的直接帶隙的性質(zhì)和大范圍的透明度以及一個(gè)帶隙,為有趣的設(shè)備提供了廣泛選擇的可能性。
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產(chǎn)品名稱 | 碲化鋅(ZnTe)晶體基片 |
產(chǎn)品簡(jiǎn)介 | Ⅱ-Ⅵ族晶體有可能在不久的將來(lái)用于突出拍攝上。他們的直接帶的性質(zhì)和大范圍的透明度以及一個(gè)帶隙,為有趣的設(shè)備提供了廣泛選擇的可能性。 |
技術(shù)參數(shù) | 生長(zhǎng)方法:Bridgeman |
結(jié)構(gòu):立方 | |
晶格常數(shù)(?) :6.103 | |
密度(g/cm3):5.633 | |
熔點(diǎn)(℃):1239 | |
熱容(J/g.k):0.16 | |
熱膨脹系數(shù)(10-6/k):8.0 | |
透明波長(zhǎng)(μm)7 -12(>66%) | |
折射率:2.7 | |
產(chǎn)品規(guī)格 | 碲化鋅:N型 |
標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格:<110>、5x5x1.0mm、10x10x1.0mm、雙拋 | |
表面粗糙度Ra:<15A | |
注:尺寸及方向可按照客戶要求定做 | |
晶體缺陷 | 人工生長(zhǎng)單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋或單片盒封裝 |
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